Ge-substraat
Beschrijving
Ge-enig kristal is een uitstekende halfgeleider voor de infrarood- en IC-industrie.
Eigenschappen
| Groeimethode | Czochralski-methode | ||
| Kristal structuur | M3 | ||
| Eenheidscelconstante | a=5,65754 A | ||
| Dichtheid (g/cm3） | 5.323 | ||
| Smeltpunt (℃) | 937,4 | ||
| Gedoteerd materiaal | Geen doping | Sb-gedoteerd | In / Ga-gedoteerd |
| Type | / | N | P |
| Weerstand | >35Ωcm | 0,05Ωcm | 0,05~0,1Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Maat | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, | ||
| dia2” x 0,33 mm dia2” x 0,43 mm 15 x 15 mm | |||
| Dikte | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Polijsten | Enkel of dubbel | ||
| Kristaloriëntatie | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å (5 µm×5 µm) | ||
De Ge-substraatdefinitie
Het Ge-substraat verwijst naar een substraat gemaakt van element germanium (Ge).Germanium is een halfgeleidermateriaal met unieke elektronische eigenschappen die het geschikt maken voor een verscheidenheid aan elektronische en opto-elektronische toepassingen.
Ge-substraten worden vaak gebruikt bij de vervaardiging van elektronische apparaten, vooral op het gebied van halfgeleidertechnologie.Ze worden gebruikt als basismaterialen voor het afzetten van dunne films en epitaxiale lagen van andere halfgeleiders zoals silicium (Si).Ge-substraten kunnen worden gebruikt om heterostructuren en samengestelde halfgeleiderlagen te laten groeien met specifieke eigenschappen voor toepassingen zoals hogesnelheidstransistors, fotodetectoren en zonnecellen.
Germanium wordt ook gebruikt in de fotonica en opto-elektronica, waar het kan worden gebruikt als substraat voor het kweken van infrarood (IR) detectoren en lenzen.Ge-substraten hebben eigenschappen die nodig zijn voor infraroodtoepassingen, zoals een breed transmissiebereik in het midden-infraroodgebied en uitstekende mechanische eigenschappen bij lage temperaturen.
Ge-substraten hebben een roosterstructuur die nauw aansluit bij die van silicium, waardoor ze compatibel zijn voor integratie met op Si gebaseerde elektronica.Deze compatibiliteit maakt de fabricage van hybride structuren en de ontwikkeling van geavanceerde elektronische en fotonische apparaten mogelijk.
Samenvattend verwijst een Ge-substraat naar een substraat gemaakt van germanium, een halfgeleidermateriaal dat wordt gebruikt in elektronische en opto-elektronische toepassingen.Het dient als platform voor de groei van andere halfgeleidermaterialen, waardoor de fabricage van verschillende apparaten op het gebied van elektronica, opto-elektronica en fotonica mogelijk wordt.
