SiC-substraat
Beschrijving
Siliciumcarbide (SiC) is een binaire verbinding van Groep IV-IV, het is de enige stabiele vaste verbinding in Groep IV van het Periodiek Systeem. Het is een belangrijke halfgeleider.SiC heeft uitstekende thermische, mechanische, chemische en elektrische eigenschappen, waardoor het een van de beste materialen is voor het maken van elektronische apparaten met hoge temperatuur, hoge frequentie en hoog vermogen. SiC kan ook als substraatmateriaal worden gebruikt voor op GaN gebaseerde blauwe lichtgevende diodes.Momenteel zijn 4H-SiC de reguliere producten op de markt en is het geleidbaarheidstype verdeeld in semi-isolerend type en N-type.
Eigenschappen
| Item | 2 inch 4H N-type | ||
| Diameter | 2 inch (50,8 mm) | ||
| Dikte | 350+/-25um | ||
| Oriëntatie | buiten de as 4,0˚ richting <1120> ± 0,5˚ | ||
| Primaire vlakke oriëntatie | <1-100> ± 5° | ||
| Secundair plat Oriëntatie | 90,0˚ CW vanaf primair vlak ± 5,0˚, Si naar boven gericht | ||
| Primaire platte lengte | 16 ± 2,0 | ||
| Secundaire platte lengte | 8 ± 2,0 | ||
| Cijfer | Productiekwaliteit (P) | Onderzoeksgraad (R) | Dummy-klasse (D) |
| Weerstand | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Dichtheid van de micropijp | ≤ 1 micropijpjes/ cm² | ≤ 1 0microbuizen/ cm² | ≤ 30 micropijpjes/ cm² |
| Oppervlakteruwheid | Si-zijde CMP Ra <0,5 nm, C-zijde Ra <1 nm | N.v.t., bruikbare oppervlakte > 75% | |
| TTV | < 8 urn | < 10um | < 15 urn |
| Boog | < ±8 um | < ±10um | < ±15um |
| Verdraaien | < 15 urn | < 20 urn | < 25 urn |
| Scheuren | Geen | Cumulatieve lengte ≤ 3 mm | Cumulatieve lengte ≤10mm, |
| Krassen | ≤ 3 krassen, cumulatief | ≤ 5 krassen, cumulatief | ≤ 10 krassen, cumulatief |
| Zeskantige platen | maximaal 6 borden, | maximaal 12 borden, | N.v.t., bruikbare oppervlakte > 75% |
| Polytype-gebieden | Geen | Cumulatief gebied ≤ 5% | Cumulatief gebied ≤ 10% |
| Verontreiniging | Geen | ||
